南通市硅材料及其制品元素分析检测 第三方

概述

    目前，国际通用作法是把商品硅分成金属硅和半导体硅。金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（近年来，含Si量99.99%的也归在金属硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。半导体硅用于制作半导体器件的高纯度金属硅。是以多晶、单晶形态出售，前者价廉，后者价昂。

检验范围

    晶体硅，石英玻璃管材、石英加热管产品，石英电光源产品，石英器件、石英砂和硅微粉，碳化硅，金属硅，熔融石英，水晶工艺品等10大类45项产品的检验。

检测能力

      Al、Fe等元素分析，P、B元素分析，Fe元素分析，单晶硅中B、P，霍尔系数，迁移率，电阻率，粒度分析，粒度分析，形态分析，羟基含量，水分测定，二氧化硅含量，碳化硅含量等。
仪器设备

    辉光放电质谱仪、X射线衍射仪、扫描型X射线荧光光谱仪、紫外•可见•近红外分光光度计、傅立叶变换红外光谱仪、低温傅立叶变换红外光谱仪、激光粒度仪、百万分之一电子天平、偏光金相显微镜、全自动立体显微镜、等离子发射光谱仪、电感耦合等离子体质谱仪、原子吸收光谱仪、场发射扫描电镜（能谱）、超低碳分析仪、超低氧分析仪、少子寿命测试仪、硅片厚度测试仪、数字式四探针测试仪、深能级瞬态谱仪、低温霍尔效应测试仪等。

相关检测标准

      GB/T 14849 工业硅化学分析方法

      GB/T 2881 工业硅

      GB/T24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

      GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法

      GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法

      SEMIMF1630 单晶硅Ⅲ－Ⅴ级杂质的低温FT－IR分析测试方法

      GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

      SEMI MF1535-1106 非接触微波反射光电导衰减测试硅晶片载流子复合寿命的方法

      GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

      GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

      GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法

      GB/T 4061 硅硅片径向电阻率变化的测量方法

      GB/T 11073 多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

      GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法

      GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

      GB/T 12964 硅单晶抛光片

      GB/T 13387 电子材料晶片参考面长度测量方法

      GB/T 6620 硅片弯曲度非接触式测试方法

      YS/T26 硅片边缘轮郭检验方法

      GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

      GB/T5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

      GB/T24582 酸浸取原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物

      YS/T 24 外延钉缺陷的检验方法等。